Rozdíl mezi statickou RAM a dynamickou RAM, který je rychlejší? 2019

difference between static ram

RAM (Random Access Memory) je druh paměti, která vyžaduje stálé napájení, aby v ní zůstala data, jakmile dojde k přerušení napájení, dojde ke ztrátě dat, proto je známá jako volatilní paměť. Existují dva typy statické RAM a dynamické RAM s náhodným přístupem (RAM) a každý má ve srovnání s ostatními své vlastní výhody a nevýhody. Zde je kompletní průvodce jaký je rozdíl mezi sram a dram„Který z nich je lepší SRAM a DRAM, Proč je třeba DRAM osvěžit tisícekrát?



Obsah příspěvku: -



Rozdíl mezi SRAM a DRAM

Statická RAM a dynamická RAM se navzájem liší v mnoha kontextech, jako je rychlost, kapacita atd. K těmto rozdílům dochází v důsledku rozdílu v technice, která se používá k uchovávání dat. DRAM využívá jeden tranzistor a kondenzátor pro každou paměťovou buňku, zatímco každá paměťová buňka SRAM využívá řadu 6 tranzistorů. Paměť DRAM potřebuje aktualizaci, zatímco SRAM nevyžaduje aktualizaci paměťové buňky.

srovnávací graf sram vs dram

Dynamická RAM Statická RAM
Úvod Dynamická paměť s náhodným přístupem je typ paměti s náhodným přístupem, který ukládá každý bit dat do samostatného kondenzátoru v integrovaném obvodu. Statická paměť s náhodným přístupem je typ polovodičové paměti, která k ukládání každého bitu používá bistabilní obvody s aretací. Termín static jej odlišuje od dynamické paměti RAM (DRAM), kterou je třeba pravidelně obnovovat.
Typické aplikace Hlavní paměť v počítači (např.DDR3). Ne pro dlouhodobé skladování. Mezipaměť L2 a L3 v CPU
Typické velikosti 1 GB až 2 GB ve smartphonech a tabletech; 4 GB až 16 GB v noteboocích 1 MB až 16 MB
Místo, kde je přítomno Přítomen na základní desce. Je k dispozici na procesorech nebo mezi procesorem a hlavní pamětí.

definice sram a dram

DRAM znamená dynamickou paměť s náhodným přístupem který je široce používán jako hlavní paměť pro a počítač Systém. Paměť DRAM potřebuje 1 tranzistor a 1 kondenzátor k uložení 1 bitu. Prostředky Každá paměťová buňka v čipu DRAM obsahuje jeden bit dat a skládá se z tranzistoru a kondenzátoru. Tranzistor funguje jako spínač, který umožňuje řídicím obvodům na paměťovém čipu číst kondenzátor nebo měnit jeho stav, zatímco kondenzátor je zodpovědný za uchovávání bitů dat ve formě 1 nebo 0.



Jak víme, kondenzátor je jako nádoba, která uchovává elektrony. Když je tento zásobník plný, označuje 1, zatímco zásobník prázdný elektronů označuje 0. Avšak kondenzátory mají únik, který způsobí, že ztratí tento náboj, a ve výsledku se „zásobník“ vyprázdní už po několika milisekundy. A aby čip DRAM fungoval, musí procesor nebo paměťový řadič nabít kondenzátory, které jsou naplněny elektrony (a proto označují 1), než se vybijí, aby si uchovaly data. Za tímto účelem paměťový řadič načte data a poté je přepíše. Tomu se říká osvěžující a vyskytuje se tisíckrát za sekundu v čipu DRAM. Z důvodu nutnosti neustále obnovovat data, což vyžaduje čas, je paměť DRAM pomalejší.

Nejběžnější aplikací DRAM, jako je DDR3, je volatilní úložiště pro počítače. I když není tak rychlý jako SRAM, DRAM je stále velmi rychlý a může se připojit přímo ke sběrnici CPU. Typické velikosti paměti DRAM jsou přibližně 1 až 2 GB u smartphonů a tabletů a 4 až 16 GB u notebooků.

SRAM znamená statickou paměť s náhodným přístupem, Obvykle se používá k vytvoření velmi rychlé paměti známé jako mezipaměť. Paměť SRAM uloží 6 bitů na 1 bit a ve srovnání s pamětí DRAM je mnohem rychlejší. Statická RAM používá ve srovnání s DRAM zcela jinou technologii. Ve statické paměti RAM forma klopného obvodu uchovává každý bit paměti. Flip-flop pro paměťovou buňku trvá 4 nebo 6 tranzistorů spolu s nějakým zapojením, ale nikdy nemusí být obnovován. Díky tomu je statická RAM výrazně rychlejší než dynamická RAM. Na rozdíl od dynamické paměti RAM (DRAM), která ukládá bity v buňkách skládajících se z kondenzátoru a tranzistoru, nemusí být SRAM pravidelně obnovována.



Protože má statická paměťová buňka více částí, zabere na čipu mnohem více místa než dynamická paměťová buňka. Získáte tedy méně paměti na čip, a tím je statická RAM mnohem dražší.

Je to rychlejší: Protože SRAM se nemusí aktualizovat, je obvykle rychlejší. Průměrná doba přístupu DRAM je přibližně 60 nanosekund, zatímco SRAM může poskytnout přístupové časy až 10 nanosekund.

Nejběžnější aplikací SRAM je sloužit jako mezipaměť pro procesor (CPU). Ve specifikacích procesoru je tato uvedena jako mezipaměť L2 nebo L3. Výkon SRAM je opravdu rychlý, ale SRAM je drahý, takže typické hodnoty mezipaměti L2 a L3 jsou 1 MB až 8 MB.



Srovnávací graf SRAM vs DRAM

statický beran vs dynamický beran

Klíčovým rozdílem mezi nimi je technologie, která se používá pro uchovávání dat. Díky tomuto klíčovému rozdílu vznikají i další rozdíly. SRAM využívá západky k ukládání dat (tranzistorový obvod), zatímco DRAM používá kondenzátory pro ukládání bitů ve formě náboje. SRAM používá pro konstrukci normální vysokorychlostní technologii CMOS, zatímco DRAM používá speciální DRAM procesy pro dosažení optimalizované vysoké hustoty. Dynamické RAM mají jednoduchou vnitřní strukturu než ve srovnání se SRAM.



Klíčové rozdíly mezi SRAM a DRAM

rychlost sram vs dram

SRAM je obvykle rychlejší než DRAM protože nemá obnovovací cykly. Jelikož každá paměťová buňka SRAM se skládá ze 6 tranzistorů na rozdíl od paměťové buňky DRAM, která se skládá z 1 tranzistoru a 1 kondenzátoru, jsou náklady na paměťovou buňku v SRAM mnohem vyšší ve srovnání s DRAM.



Doufám, že jste nyní mohli pochopit rozdíl mezi SRAM a DRAM. A co je důležitější, důvod, proč je potřeba obnovit RAM stokrát v hodinovém cyklu. Stále máte jakýkoli návrh dotazu, neváhejte diskutovat o komentářích.

Přečtěte si také